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大事紀要

選擇年分:
時間內容
2015
  • 停止太陽能電池生產製造業務
  • 2012年11月通過之經濟部業界開發產業技術計畫「綠能車用高功率IGBT元件開發」,已於2015年1月開發完成
2010
  • 太陽能二廠(新興廠)建廠完成
2009
  • 「雙面太陽能電池技術」榮獲經濟部主導性新產品開發計畫補助
  • 榮獲行政院勞委會 進用身心障礙者績優機關(構)金展獎
2008
  • 2008太陽能二廠舉行動土典禮
 
2007
  • 太陽能生產線裝置完成並進入量產,平均轉換效率達 15.4 % 以上 
2006
  • 與工研院簽訂無線射頻辨識系統(RFID)技術合作契約
  • 晶圓廠達成六萬片產能目標
  • 規畫進入太陽能電池 (Solar Cell)及電子標籤 (RFID)事業
  • 停止代銷標準型動態隨機存取記憶體(Commodity DRAM)業務
2005
  • 晶圓廠完成四萬五千片產能擴充計劃
2003
  • 取得ISO/TS16949認證>
  • 茂矽宣佈退出DRAM市場
2001
  • 開發成功HV LCDD製程技術
2000
  • 與日本SHARP公司合資設立敦茂科技
  • 茂矽與美國Cypress公司簽訂技術合作契約
  • 茂矽與Infineon公司簽訂多項技術合作契約
  • 通過德國RWTUV ISO-14001國際環境管理系統認證
1999
  • 茂矽取得美國聯合記憶體(UMI)
  • 獲得德國RWTUV QS 9000品質系統認證
1998
  • 與矽品合資設立專業封裝測試廠-南茂科技
1997
  • 發行日本武士債券
1996
  • 董事會通過與西門子合資建廠案
  • 茂矽、西門子合資建廠簽約,正式設立「茂德科技股份有限公司」
1995
  • 64M DRAM開發計劃獲國科會補助
  • 八吋晶圓廠開工動土
1994
  • 六吋次微米晶圓廠落成啟用暨試產成功
1993
  • 籌建六吋次微米晶圓工廠
  • 公開發行經證管會核准通過
  • 獲國科會補助開發4M VRAM關鍵性零組件
1992
  • 開發完成IVR、1M HI-SPEED DRAM超高速MASK ROM等產品
1991
  • 本公司100%購併美國華智公司
1989~1990
  • 興建研發大樓
  • 設計國內第一顆超高速CMOS SRAM
  • 與TSMC合作開發0.8 ~ 0.9 MICRON之CMOS SRAM
  • 開發完成LATCH RAM、MUX RAM等ASM產品
  • 100%購併美國茂矽公司
1988
  • 開發成功1M CMOS SRAM
1987
  • 台灣茂矽電子公司設立,積極從事「本土化」之經營 
1986
  • 與日本FUJI、SHARP合作開發64K/256K CMOS SRAMM 
  • 授權韓國現代﹝HYUNDAI﹞64K/256K CMOS SRAM之技術與產品
1984~1985
  • 將開發成功之16K/64K SRAM技術引進聯華電子公司  
1983
  • 美國茂矽創業成立於美國矽谷 

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